详细说明:
可控硅结合参数测试仪。可测量晶闸管的通态,短态,触发电压,维持电流,维持电压等参数。VTM:0-10V ITM:0-15A VDRM:0-4KV VG:0-1-V IG:0-00MA ICH:0-500MA。
- 上一篇 :ICT2900半导体分立器件测试仪
- 下一篇 :BJ2922B场效应管测试仪
您的位置:网站首页 > kaiyun官方体育登录入口
> > 半导体器件测试仪 > HB2931B可控硅综合参数测试仪
可控硅结合参数测试仪。可测量晶闸管的通态,短态,触发电压,维持电流,维持电压等参数。VTM:0-10V ITM:0-15A VDRM:0-4KV VG:0-1-V IG:0-00MA ICH:0-500MA。